IBM parvient à fabriquer des puces gravées en 5 nanomètres, divisant par 4 la consommation d’énergie

Des chercheurs d’IBM annonçaient il y a quelques jours un nouveau processus de fabrication de transistors qui permettra de graver des processeurs en 5 nanomètres. La consommation d’énergie pourrait alors être divisée par quatre.

L’avenir des processeurs est-il en train de se jouer ? Alors que les constructeurs sont déjà en mesure de graver en 7 nm depuis un peu moins de deux ans, en collaboration avec Samsung et GlobalFoundries, IBM annonçait il y a peu un nouveau procédé de fabrication pour concevoir le tout premier processeur gravé en 5 nanomètres. Selon le communiqué de presse, cette nouvelle technique permettra d’augmenter la rapidité des processeurs classiques de près de 40 %. Alors qu’il est aujourd’hui possible de stocker entre 10 et 15 milliards de transistors sur une puce gravée en 10 nm, la gravure en 5 nm devrait permettre d’en stocker le double, soit jusqu’à 30 milliards de transistors.

Pour ce faire, IBM et les partenaires Samsung et Global Foundries ont proposé un nouveau design qui surmonte certaines des limites de l’architecture actuelle en utilisant des nanofeuilles de silicium empilées l’une sur l’autre. Résultat : les puces consommeraient 75 % d’énergie de moins que les puces gravées avec la technologie FinFET (ou Fin Field Effect Transistor) actuellement utilisée. Cette économie d’énergie permettra d’améliorer l’autonomie des appareils mobiles et autres objets connectés. Imaginez par exemple votre smartphone qui n’utilise que le quart de sa batterie en une journée pour un usage similaire, c’est le genre d’amélioration dont nous parlons ici.

Cette nouvelle technologie permettra également aux ingénieurs d’utiliser les procédés et les matériaux existants plutôt que des alternatives prometteuses comme les nanotubes de carbone, de sorte que les moyens actuellement à disposition permettront de répondre à nos besoins tandis que les options de prochaine génération sont explorées.

Pour l’heure, la gravure en 7 nm permettant de stocker jusqu’à 20 milliards de transistors sur une puce de la taille d’un ongle devrait pouvoir se démocratiser courant de l’année. Les gravures en 5 nm pourraient quant à elles être prêtes d’ici un an environ, mais ne vous attendez pas à les voir tout de suite dans vos gadgets. La recherche est actuellement présentée aux symposiums 2017 Technology and Circuits à Kyoto, au Japon

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